【摘 要】
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以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VO_x薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VO_x薄膜的电阻
【机 构】
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合肥工业大学材料科学与工程学院,中国电子科技集团公司43研究所
【基金项目】
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国家“973”项目（2008CB717802）, 安徽省自然科学基金（090414182）, 安徽省高校自然科学基金（KJ2009A091）
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以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VO_x薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VO_x薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8：25时,经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数（TCR）超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VO_x薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8：25时,单晶硅片上制得的VO_x薄
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