【摘 要】
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采用高真空热蒸发沉积技术在硅单晶Si(111)衬底上沉积了WO3 薄膜 .借助化学刻蚀 ,SEM ,XRD和Raman光谱分析等手段 ,研究了不同的热处理条件 (大气环境 ,真空 ,不同气氛 )对WO
【机 构】
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华中理工大学激光技术国家重点实验室,华中理工大学物理系,华中理工大学物理系,华中理工大学物理系
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采用高真空热蒸发沉积技术在硅单晶Si(111)衬底上沉积了WO3 薄膜 .借助化学刻蚀 ,SEM ,XRD和Raman光谱分析等手段 ,研究了不同的热处理条件 (大气环境 ,真空 ,不同气氛 )对WO3 薄膜结构的影响 .结果表明 ,在真空条件下或干燥Ar气氛条件下对薄膜进行退火热处理有利于控制薄膜晶粒的生长 (保持薄膜良好的电致变色性能 ) ,同时有利于增强薄膜的稳定性
WO3 thin films were deposited on Si single crystal Si (111) substrate by high vacuum thermal evaporation technique. The effects of different heat treatment conditions (atmospheric environment, vacuum, heat treatment, Different atmospheres) on the structure of WO3 films was studied.The results show that the annealed films annealed under vacuum or in Ar atmosphere are good for controlling the growth of thin films (keeping good electrochromic properties) Enhance the stability of the film
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