直流反应磁控溅射制备锐钛矿型TiO2薄膜

来源 :真空与低温 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yejing112

【摘要】

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采用直流反应磁控溅射的方法,在衬底温度为350℃的条件下溅射高纯钛靶,并在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.采用正交设计法探讨了溅射气压、溅射电流、氧氩比和溅射时间等实验条件

【作者】

：

张利伟鲁占灵杨仕娥姚宁张兵临

【机构】

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郑州大学

【出处】

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真空与低温

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

直流反应磁控溅射 TIO2薄膜制备工艺正交设计法锐钛矿结构 TiO_2 thin filmDC reactive magnetron sputtering

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采用直流反应磁控溅射的方法,在衬底温度为350℃的条件下溅射高纯钛靶,并在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜.采用正交设计法探讨了溅射气压、溅射电流、氧氩比和溅射时间等实验条件对TiO2薄膜结构的影响.经过X射线衍射和拉曼光谱分析,制备结晶良好的锐钛矿结构TiO2薄膜的最佳实验条件为:溅射气压0.3 Pa;溅射电流0.7 A;氧氩比1 : 3;溅射时间40rmin退火温度650℃.

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