【摘 要】
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本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果.重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划（973）项目（2006CB202602和2006CB202603）和天津市自然科学基金项目（043612511）资助
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本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果.重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响.通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57%.文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析.
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