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对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD（器件与工艺计算机辅助设计）,研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径。