【摘 要】
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对 BiCuSeO 半导体陶瓷进行 Ba/Pb 双掺杂,通过机械球磨和放电等离子烧结制备 Bi1 2xBaxPbxCuSeO(x=0,0.06)半导体陶瓷材料,系统研究 Ba/Pb 双掺杂和球磨时间对 BiCuSeO 材料
【机 构】
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武汉科技大学耐火材料冶金国家重点实验室,武汉科技大学省部共建高温材料与衬里技术联合工程研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51674181,11074195);湖北省教育厅重点项目(D2015103)
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对 BiCuSeO 半导体陶瓷进行 Ba/Pb 双掺杂,通过机械球磨和放电等离子烧结制备 Bi1 2xBaxPbxCuSeO(x=0,0.06)半导体陶瓷材料,系统研究 Ba/Pb 双掺杂和球磨时间对 BiCuSeO 材料显微结构、热电性能和硬度的影响。结果表明,用少量 Ba/Pb 部分替代 BiCuSeO 中的 Bi,可显著提高材料的电导率和功率因子,而球磨能使晶粒尺寸减小到约 350 mm,从而降低材料的热导率,同时提高其电导率。球磨 16 h 条件下制备的 Bi0.88Ba0.06Pb0.06CuS
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