部分P/N埋层的高压SOI LDMOS研究

来源 :杭州电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xingxing123789

【摘要】

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提出部分P/N型埋层（PBPL/PBNL)的高压SOILDMOS结构，并对其进行研究分析。在横向方向，部分硅埋层可以引入额外的电场尖峰，从而改善表面电场分布，提高漂移区电荷容纳能力。在纵向方

【作者】

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刘华振徐倩倩胡月王高峰

【机构】

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杭州电子科技大学微电子CAD研究所

【出处】

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杭州电子科技大学学报

【发表日期】

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2018年1期

【关键词】

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击穿电压导通电阻部分埋层缘衬底硅横向双扩散金属氧化物半导体 breakdown voltage on-resistance partial buried

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目(61404040)

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提出部分P/N型埋层（PBPL/PBNL)的高压SOILDMOS结构，并对其进行研究分析。在横向方向，部分硅埋层可以引入额外的电场尖峰，从而改善表面电场分布，提高漂移区电荷容纳能力。在纵向方向，PBPL和PBNL都可以在埋氧层中引入更高的电场，因此击穿电压明显提高。同时由于漂移区可以有更高的电子浓度，导通电阻也大大降低。二维仿真结果表明，PBPLSOI和PBNLSOI结构分别得到296V和365V的击穿电压，传统SOI结构和N型埋层的SOI结构击穿电压仅为225V和231V。此外，PBPLSOI和PBNL

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