【摘 要】
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使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石/硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化.XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测
【机 构】
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吉林大学,国家集成光电子重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)
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使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石/硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化.XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失,同时紫外发射峰增强.对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度.比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大.当ZnO薄膜较薄时,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近,与其他衬底上生长的薄膜相比,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜
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