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报道了研制的AlGaN／GaN微波功率HEMT，该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN／GaN异质结构，器件工艺采用了Ti／Al／Ni／Au欧姆接触和Ni／Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化．研制的200μm栅宽T型布局AlGaN／GaN HEMT在1．8GHz，Vds=30V时输出功率为28．93dBm，输出功率密度达到3．9W／mm，功率增益为15．59dB，功率附加效率(PAE)为48．3％，在6．2GHz，Vds=25V时该器件输出功率为27．06dBm，输出功率密度为2．5W／m