【摘 要】
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采用固体粉末包埋法在Ti3SiC2 陶瓷上渗硅, 研究了渗硅涂层的抗高温氧化性能, 用XRD及SEM/EDS分析了渗硅涂层及其氧化后产物的成分、结构和形貌等. 结果表明: 渗硅层主要由Ti
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采用固体粉末包埋法在Ti3SiC2 陶瓷上渗硅, 研究了渗硅涂层的抗高温氧化性能, 用XRD及SEM/EDS分析了渗硅涂层及其氧化后产物的成分、结构和形貌等. 结果表明: 渗硅层主要由TiSi2和SiC组成, 在空气中氧化时形成了SiO2和TiO2的混合氧化物膜. 渗硅样品在1100℃和1200℃下的恒温氧化速率比Ti3SiC2降低了2～3个数量级, 1100℃下抗循环氧化性能也优于Ti3SiC2. 但由于渗硅层中存在裂纹, 循环过程中当裂纹贯穿整个渗硅层时, 涂层的氧化速度开始增加, 其保护作用逐步退化
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