【摘 要】
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为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能 衰退情况,对 InGaAsP/InGa As双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电 学参数和量子效
【机 构】
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中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院大学
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为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能 衰退情况,对 InGaAsP/InGa As双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电 学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增 加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短 路电流和开路电压下降的主要原因; InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加 严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.
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