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采用改进的浓度控制的络合解络法在硅凝胶中生长出形状规则的CuI单晶.通过分光光度法测量铜离子浓度,分析了硅凝胶中络合物浓度和浓度梯度对晶体生长的影响.实验发现：要获得形貌规则且尺寸较大的CuI单晶,在晶体生长区必须维持一个低而稳定的络合物浓度和浓度梯度.就浓度递减法而言,生长区的浓度和浓度梯度一般可分别控制在0.01～0.03 mol/L范围和0.012 mol/（L·cm）左右,这样生长区的过饱和度可以维持在一个使晶体缓慢生长的水平.为更好地调控凝胶中络合物的浓度分布,通过浓度递增法研究了络合