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基于0．5μm GaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端，集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型，实验结果表明，模型和实测结果对比有较好的一致性。光接收机最高工作速率5Gb／s，其中，探测器光敏面直径50μm，电容0．51pF，暗电流小于30nA。跨阻放大器-3dB带宽接近10GHz，跨阻增益约43dBΩ，最小等效输入噪声电流密度约为17．6pA／Hz^1/2。