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对热载流子导致的SIMOX衬底上的部分耗尽SOI NMOSFET's的栅氧化层击穿进行了系统研究，对三种典型的热载流子应力条件造成的器件退化进行实验，根据实验结果，研究了沟道热载流了对于SOI NMOSFET's前沟特性的影响，提出了预见器件寿命的幂数关系。该方法式可以进行外推，实验结果表明，NMOSFET's的退化由热空穴从漏端注入氧化层，且在靠近漏端被俘获得造成的，尽管电子的俘获得可以加速NMOSFET's的击穿，一个Si原子附近的两个Si-O键同时断裂，导致栅氧化