【摘 要】
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用液相外延技术生长GaAs-Ga_(1-X)Al_XAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/sr·cm~2以上,尾纤(芯径60μm,N.A.=0.17)输出功率最高达200μW,外推
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金
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用液相外延技术生长GaAs-Ga_(1-X)Al_XAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/sr·cm~2以上,尾纤(芯径60μm,N.A.=0.17)输出功率最高达200μW,外推工作寿命10~5小时。已用于1.8公里,8.448Mb/S,PCM-120路光纤电话通信系统。对器件的工作特性进行了分析,讨论了影响因素及改进途径。
GaAs-Ga_ (1-X) Al_XAs double heterojunction materials were grown by liquid phase epitaxy and made into small area high emissivity LEDs. Radiation up to 100w / sr · cm ~ 2 or more, pigtail (core diameter 60μm, N.A. = 0.17) output power up to 200μW, extrapolating the working life of 10 to 5 hours. Has been used for 1.8 km, 8.448Mb / S, PCM-120 optical fiber telephone communication system. The working characteristics of the device are analyzed, the influencing factors are discussed and the ways to improve the device are discussed.
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