MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xxw1314159
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通过优化GaAs表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、GaAs表面预处理工艺、生长条件及优选GaAs衬底方向等措施,在水平与常压MOVPE装置中,用二乙基锌(DEZn)、二甲基镉(DMCd)、二异丙基碲(DiPTe)和元素汞,采用互扩散多层工艺(IMP),在GaAs衬底上生长出了MCT/CdTe/GaAs,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。 By optimizing the GaAs surface preparation process, the reaction tube cleaning process, the GaAs surface pretreatment process, the growth conditions, and the preferred GaAs substrate orientation, in a horizontal and an ordinary pressure MOVPE apparatus, diethylzinc (DEZn) (DMC), DiPTe and elemental mercury (MC) were grown on GaAs substrate by using interdiffusion multi-layer process (IMP) The morphology of the electron microscope shows that the surface morphology of the film has been significantly improved with the optimized process.
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