【摘 要】
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采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10289cm2/Vs。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶
【机 构】
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中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区导弹工程系; 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室; 西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室; 首都师范大学物理系太
【基金项目】
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国家自然科学基金(61505196);国家重点研发计划(2018YFA0306101);中国科学院科研仪器设备研制项目(YJKYYQ20170032)
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采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10289cm2/Vs。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40dB,电压驻波比（VSWR）为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率（NEP）为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。
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