【摘 要】
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本文研究了TEA CO_2激光诱导SF_6与单晶硅和金属钨的表面化学反应。实验结果表明这些反应的反应率与激光频率之间具有明显的依赖关系,在频率为942.2cm~(-1)处反应率呈极大值
【机 构】
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复旦大学激光化学研究室,复旦大学激光化学研究室上海,上海,上海
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本文研究了TEA CO_2激光诱导SF_6与单晶硅和金属钨的表面化学反应。实验结果表明这些反应的反应率与激光频率之间具有明显的依赖关系,在频率为942.2cm~(-1)处反应率呈极大值。对于SF_6-Si体系,反应率与硅的不同晶面有关,在相同条件下Si(100)面与SF_6的反应率大于Si(111)面。对于SF_6-W体系,测定了激光能量密度和脉冲辐照次数与反应率之间的关系,其反应阈值为1Jcm~(-2),并测得该反应的速率与SF_6分压呈一级反应关系。同时,还讨论了上述反应的机理,认为气态振动受激的六氟
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