【摘 要】
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利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用
【机 构】
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利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属 Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨
The p-Si thin films were prepared by the Ni-based metal induced crystallization (MIC) method.The results of XRD and Raman spectroscopy showed that the a-Si / Ni annealed at 440 ℃ for 2 h formed a polycrystalline phase structure. The structure of the film was analyzed by SEM, XPS and other analytical methods, and the mechanism of the induced crystallization of Ni metal was briefly discussed
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