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通过数值模拟方法研究了超导薄圆筒在交变磁场下的交流损耗特性。这种超导体的几何模型为一个通有与外加磁场同相位的交流电且厚度可忽略的圆筒。基于Bean临界态模型,通过数值方法得到了交流损耗Q,与实验结果符合得很好。此值模拟方法仅适用于超导薄圆筒,对涂层超导体具有一定的应用价值。
交变磁场下超导薄圆筒的交流损耗研究
【摘 要】
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通过数值模拟方法研究了超导薄圆筒在交变磁场下的交流损耗特性。这种超导体的几何模型为一个通有与外加磁场同相位的交流电且厚度可忽略的圆筒。基于Bean临界态模型,通过数
【机 构】
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华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室,华北电力大学数理系
【出 处】
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低温与超导
【发表日期】
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2011年1期
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研基金（D00033）, 国家自然基金（51077051）
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