MOS器件中热载流子效应有关电场的计算方法

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采用线性近似的方法,对MOS器件以道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究,给出了一种较精确的简便计算方法,在该电场模型的基础上,建立了整个热载流子效应的模框架。
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