【摘 要】
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基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN/GaN HEMTs功率器件,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度0.784 A/mm,跨导197 mS/mm,关态击穿电压>80 V,截止态
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基于蓝宝石衬底的高微波特性AlGaN/GaN HEMTs功率器件,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度0.784 A/mm,跨导197 mS/mm,关态击穿电压>80 V,截止态漏电很小,栅宽1 mm的器件的单位截止频率(fT)达到20 GHz,最大振荡频率(f max)28 GHz,2 GHz脉冲测试下,栅宽0.75 mm器件,功率增益 11.8 dB,输出功率31.2 dBm,功率密度1.75 W/mm.
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