【摘 要】
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随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年
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随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年来,金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们的极大关注。金刚石具有能带间隙宽、导热系数高和载流子迁移率高等优良电学特性,在高温高压高频高功率电子器件应用领域前景广阔。然而,金刚石基电子器件从材料制备到器件应用这一过程的实现还存在诸多挑战,比如大尺寸金刚石晶圆的制备、高质量金刚石外延材料的生长及金刚石掺杂技术的完善等。
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