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文章对0．5μm一次编程存储器（OTP）存储单元的器件结构、工艺流程、存储单元器件特性及可靠性提高等方面进行了研究。在一定的编程条件下，编程0．1ms时器件的阈值电压能够大于6V，控制栅或漏极加电压10s时阈值电压退化量小于0．1V，因此器件的编程速度和编程串扰特性能够满足要求。通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅-氮化硅-氧化硅（ONO）的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施，存储单元的数据保持能力能够大于10年。