【摘 要】
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WO3是一种非常典型的过渡金属氧化物半导体材料,因其价态的多样性和价电子构型的独特性而表现出特殊的光学、电学、力学性能,在电致变色、光催化、气体传感器、超级电容器以
【机 构】
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哈尔滨理工大学 化学与环境工程学院,黑龙江 哈尔滨,150040
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WO3是一种非常典型的过渡金属氧化物半导体材料,因其价态的多样性和价电子构型的独特性而表现出特殊的光学、电学、力学性能,在电致变色、光催化、气体传感器、超级电容器以及太阳能电池等领域的应用显示出了极为优异的性能.通过沉淀法和水热法来制备掺杂三氧化钨粉体,并对样品的晶体结构进行性能分析和氢敏测试.通过XRD衍射分析得到,沉淀法制备出的粉体为H2WO4·H2O,属于单斜晶系;水热法制备出的产物是WO3·H2O,属于正交晶系.掺杂的粉体均从淡黄色变为蓝色,而且对氢气的响应时间与掺杂的元素有关.掺钯的粉体的变色响应时间45s,掺铂的三氧化钨粉体变化的更明显.
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