【摘 要】
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以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si（100）衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。
【基金项目】
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国家自然科学基金（50532070）, 中科院知识创新方向性课题（KJCX35YWW01）资助项目
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以二乙基锌和水汽分别作为锌源和氧源,用LP-MOCVD方法在p型Si（100）衬底上生长了单一取向的ZnO薄膜。对得到的样品在氮气气氛中进行高温热处理,退火温度分别为900,1000,1100℃。利用室温PL谱、XRD、AFM、XPS等方法对样品的性质进行了研究。研究表明：（1）随着退火温度的升高,样品的结晶性质也逐渐提高,从表面形貌观察到晶粒尺寸逐渐增大;（2）当退火温度从900℃升高至1000℃时,样品的光致发光谱中可见光波段的发光强度有所减弱,而紫外波段的发光强度明显增强;当退火温度升高至1100℃
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