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L_g=100nmT-shapedgateAlGaN/GaNHEMTsonSisubstrateswithnon-planarsource/drainregrowthofhighly-dopedn~+

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【作 者】

：

黄杰  黎明  邓泽华  刘纪美 

【出 处】

：

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【发表日期】

：

2014年12期

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