InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yyslzm2007
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采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小,且向长波长移动。InGaAs/InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能,使得室温发光波长超过1.3μm;在10-300K温度范围内,发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高,InAs量子点的发光寿命首先增大,当温度升高到临界温度Tc后,发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品,其发光寿命具有不同的温度关系,联合盖帽层
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