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比较了3种具有羟基表面SiO2层的差异：紫外光照SAMs形成的羟基表面,紫外光照射前、照射后的羟基表面;用光照前后表面的差异,结合化学浴沉积技术在单晶硅基底上制得了TiO2微图案薄膜。系统考察了光源、硅片表面性质的变化、溶液等方面对图案生成的影响。实验表明TiO2沉积在未照区,电子和空穴动力学上的差异造成光照区表面正电荷增多,抑制了TiO2的沉积。该方法不需要光刻胶和自组装膜作为辅助模板,具有简单廉价的特点。