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在SMIC的0.18μm CMOS工艺下,设计了一款3读3写32×16bit高速低功耗寄存器堆.该寄存器堆采用分块结构和改进的存储单元,有效地降低了寄存器堆的功耗.电路仿真表明,在室温条件下,工作电压为1.8V,最大读写延时为0.9ns,当寄存器堆工作在1GHz时,功耗为23.70mW.