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日本电信电话（NTT）宣布，在采用光学结晶的光内存中，实现了最长150ns的存储持续时闻。通过使用InGaAsP作为光学结晶材料，使存储持续时间达到了该公司采用硅材料时（2．5ns）的60倍。光限域强度的指标——Q值最大为13万。存储保持所需偏置光的最小功率为40μW，降低到了原来使用半导体激光器时的几十分之一。