全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wwwenda

【摘要】

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提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS（FB-LDMOS）结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场R

【作者】

：

成建兵张波李肇基

【机构】

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电子科技大学IC设计中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年2期

【关键词】

：

LDMOS 全耗尽型浮空埋层 RESURF REBULF 击穿电压 LDMOS full depletion floating buried layer R

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提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS（FB-LDMOS）结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBULF效应.分析了埋层的浓度、厚度、长度等对器件击穿电压的影响.借助二维仿真软件MEDICI,该新结构的击穿电压由传统LDMOS的585.8V提高到886.9V,提高了51.4%.

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