【摘 要】
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为了解决现有的电压模驱动型LIN驱动器在抗电磁干扰(EMI)方面的诸多不足,基于电流模驱动,设计了一种抗EMI性能良好的LIN驱动器.电路采用0.5 μm60VBCD工艺制造,依据IEC62132-
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心,上海200050;中国科学院大学,北京100049
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为了解决现有的电压模驱动型LIN驱动器在抗电磁干扰(EMI)方面的诸多不足,基于电流模驱动,设计了一种抗EMI性能良好的LIN驱动器.电路采用0.5 μm60VBCD工艺制造,依据IEC62132-4标准进行直接功率注入(DPI)仿真[1].结果表明,在150 kHz～1GHz频率范围内,在强度高达5W的EMI信号下,该驱动器输出信号占空比变化不超过3％,传输延时变化不超过2.4 μs.相较于电压模驱动型电路较大的传输延时变化(＞10μs)和占空比变化(＞23％),设计的驱动器在保持较低电磁辐射(EME)的同时,抗EMI性能得到较大的提高.“,”To solve some shortcomings of voltage-mode LIN driver in EMI-resisting capacity,a current-mode LIN driver with good EMI-resisting performance was designed.The circuit was fabricated in 0.5 μm 60 V BCD process and simulated using direct power injection (DPI) method according to IEC62132-4 standard.Results showed that when the superimposed EMI interference had frequency range from 150 kHz to 1 GHz and power of 5 W,the change of the duty cycle was less than 3％,and the change of the propagation delay was less than 2.4 μs for the proposed LIN driver.Compared with voltage-mode structure which varied widely in propagation delay (＞ 10 μs) and duty cycle (＞23％),the EMI-resisting performance of the proposed LIN driver was well improved,while maintaining low EME.
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