【摘 要】
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研究了用分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺。为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度，采用低温GaSb作为缓冲层，有效降低了外延层中的位错密度，提高了晶体质量。
【机 构】
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哈尔滨工业大学（威海）,哈尔滨工业大学,长春理工大学
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研究了用分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺。为了减小因晶格失配度较大所引起的位错密度，采用低温GaSb作为缓冲层，有效降低了外延层中的位错密度，提高了晶体质量。通过X射线双晶衍射仪和原子力显微镜测试分析，得到低温GaSb缓冲层的优化生长参数：厚度为20nm，生长速率为1．43μm／h，Ⅴ／Ⅲ束流比为2．0。并在此基础上研究了GaSb薄膜的发光特性：GaSb薄膜的光致发光光谱主要由束缚激子（BE4）和施主-受主对（D-A）辐射复合发光峰组成，在50K时其发光峰强度最强，半峰宽最窄。
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