【摘 要】
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提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅（SOI）的新方法，并阐述了其工艺原理．将直径为100mm（4英寸）的SOI晶圆片在曲率半径为0．75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲状态下的SOI晶圆片在250
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅（SOI）的新方法，并阐述了其工艺原理．将直径为100mm（4英寸）的SOI晶圆片在曲率半径为0．75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20h的热退火处理．对弯曲退火后S01晶圆片进行了拉曼光谱表征，其拉曼频移为520．3cm，小于体硅的典型值，拉曼频移差达到-0．3cm^-1，说明弯曲退火后的SOI晶圆片发生了单轴张应变．相应的应变量计算为0．077％，高于文献报道的0．059％．
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