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为了满足高性能锁相环对高频压控振荡器低相位噪声的要求，提供了CMOS全集成负电导压控振荡器在2．2GHz频率的设计。这种结构的优点和缺点要在设计中相互平衡。CMOSVCO的相位噪声应用据线性时变脉冲敏感函数（ISF）分析和计算并且与仿真结果进行比较。结果证明线性时变模型ISF能够很好的估算相位噪声，同时使用LC滤波技术改善相位噪声性能，在1／f^2区域，相位噪声改善了9dBc／Hz；在1／f^2区域，改善了5dBc／Hz。在最后给出使用0．35μm CMOS工艺制作的2，2GHz VCO的实验结果。