【摘 要】
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场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端
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场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件。场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力。本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构。分别仿真场限环结深和漂移区掺杂浓度与主结的击穿电压的关系,得到结深和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系曲线。当漂移区掺杂浓度一定时,PiN二极管主结击穿电压随结深的增大而增大;当结深保持不变时,PiN二极管主结击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而减小。随后提取击穿时的电场分布,并分别从结表面和结曲面的峰值电场、
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