【摘 要】
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为研究制作THz 频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺.通过分子束外延（MBE）生长了掺杂浓度分别为5×10^18 cm^-3 的缓冲层和2×10^17 c
【机 构】
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中国工程物理研究院激光聚变研究中心
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为研究制作THz 频段下工作的肖特基二极管器件,系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺.通过分子束外延（MBE）生长了掺杂浓度分别为5×10^18 cm^-3 的缓冲层和2×10^17 cm^-3 的外延层,并研究温度对厚度的影响,使得膜层厚度控制良好,晶格完整.通过参数控制,减小了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的SiO2 钝化层应力,使压指结构的翘曲情况得以改善.研究了不同退火温度下欧姆接触的情况,使接触电阻率减小到0.8×10^-7 Ω/cm^2.用电子束光刻和干法
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