54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究

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【摘要】

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本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系.研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退

【作者】

：

艾尔肯严荣良余学锋郭旗陆妩任迪远苏秀娣

【机构】

：

中国科学院新疆物理研究所,东北微电子研究所

【出处】

：

核技术

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

高速CMOS电路交流特性辐射退化卫星电子系统设计空间辐射 High-speed CMOS circuit AC characteristic I

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本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系.研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显.辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化.

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