金属氧化物薄膜晶体管电特性参数的提取

来源 :实验室研究与探索 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangqiang

【摘要】

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采用磁控溅射法制备了底栅反交叠刻蚀阻挡型（ES）金属氧化物薄膜晶体管（α-IGZO TFT）,测试了TFT电流-电压特性曲线.根据TFT的一级近似模型,结合实验数据提出了TFT电特性参数提取方

【作者】

：

陈文彬何永阳陈赞

【机构】

：

电子科技大学光电信息学院

【出处】

：

实验室研究与探索

【发表日期】

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2018年11期

【关键词】

：

金属氧化物薄膜晶体管电特性参数刻蚀阻挡型

【基金项目】

：

电子科技大学本科教学改革研究项目(Y0309402370101954)

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采用磁控溅射法制备了底栅反交叠刻蚀阻挡型（ES）金属氧化物薄膜晶体管（α-IGZO TFT）,测试了TFT电流-电压特性曲线.根据TFT的一级近似模型,结合实验数据提出了TFT电特性参数提取方法.在TFT的线性区和饱和区采用线性拟合提取了TFT的场效应迁移率和阈值电压,定义了TFT的开态电流和关态电流,在TFT的亚阈值区分别采用线性拟合和一阶导数的方法提取了TFT的亚阈值摆幅.通过筛选测试条件和数据拟合范围,得到α-IGZO TFT线性区和饱和区场效应迁移率和阈值电压分别为6.27 cm 2/V·

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