【摘 要】
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基于55nm CMOS工艺,设计了一种10位150 MS/s的逐次逼近模数转换器(SAR ADC)。将融合电容切换方式(MCS Scheme)与分离电容式DAC(Split CDAC)相结合,提出了一种新型的电容切换
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基于55nm CMOS工艺,设计了一种10位150 MS/s的逐次逼近模数转换器(SAR ADC)。将融合电容切换方式(MCS Scheme)与分离电容式DAC(Split CDAC)相结合,提出了一种新型的电容切换方式,极大地降低了ADC的功耗。采用非二进制冗余算法,减少了ADC的判决误差,提高了采样速率。在15 MHz和74.5 MHz的输入信号下,信号噪声失真比(SNDR)分别为51.5dB和49.6dB;在1.2V电压电源下,功耗为537μW。
Based on the 55nm CMOS process, a 10-bit, 150 MS / s successive approximation analog-to-digital converter (SAR ADC) is designed. Combining MCS Scheme with Split CDAC, a new capacitor switching scheme is proposed, which greatly reduces the ADC power consumption. Using non-binary redundancy algorithm, reducing the ADC’s decision error, improve the sampling rate. The signal-to-noise-distortion ratio (SNDR) is 51.5dB and 49.6dB, respectively, for input signals of 15 MHz and 74.5 MHz, and 537μW at 1.2V.
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