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保护膜制备参数对其性能影响的实验研究
保护膜制备参数对其性能影响的实验研究
来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:han8349
【摘 要】
:
以电子束蒸发法制得的MgO保护膜为例,对保护膜制备参数,例如基板温度、沉积速率等 对保护膜表面结晶结构、形貌及成分等基本特性的影响进行了研究,为保护膜制备工艺的优化提供了指
【作 者】
:
任红霞
胡江峰
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子研究所,西安交通大学物理与器件研究所
【出 处】
:
真空电子技术
【发表日期】
:
1999年2期
【关键词】
:
介质保护膜
工艺参数
表面特性
ACPDP
Protecting film overcoating the dielectric layer
Technica
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以电子束蒸发法制得的MgO保护膜为例,对保护膜制备参数,例如基板温度、沉积速率等 对保护膜表面结晶结构、形貌及成分等基本特性的影响进行了研究,为保护膜制备工艺的优化提供了指导。
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