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失效定位技术是发光二极管失效性分析中的重要组成部分,本文在主流的3种失效定位技术:光子辐射显微技术、光诱导电阻变化、红外热成像显微技术的基础上,提出了一种显微红外热点定位测试系统。该系统通过双线性插值算法使源图像放大至原来的4倍,在使用20μm微距镜头的条件下,能达到与5μm微距镜头接近的效果,降低了LED失效检验成本。利用可见光图像和红外热像图的叠加,提高电压对LED芯片失效点进行锁定,能在大范围内迅速定位LED芯片缺陷所在。在此基础上,结合FIB技术和SEM设备分析LED芯片微观结构,可以进一步分析L