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针对沟道下方开硅窗口的图形化SOI（PSOI）横向双扩散MOSFET（LDMOSFET）进行了结构优化分析，发现存在优化的漂移区长度和掺杂浓度以及顶层硅厚度使PSOI LDMOSFET具有最大的击穿电压和较低的开态电阻。PSOI结构的RESURF条件为Nd·tsi=1.8～3×10^12cm^-2。对结构优化的PSOI LDMOSFET进行了开态输出特性模拟，输出特性曲线没有曲翘现象和负导现象，开态击穿电压可达到16V，器件有源区的温度降低了50℃。结构优化有利于提高器件性能和降低器件