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以Y2O3作为Ni81Fe19薄膜的氧化插层，利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni81Fe19薄膜样品Ta（4nm）/ Y2O3（t）/Ni81Fe19（20nm）/ Y2O3（t）/Ta（3nm），利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻（AMR），用振动样品磁强计测量样品的磁滞回线，利用X射线衍射仪（XRD）分析样品薄膜结构，研究了Y2O3插层厚度对 Ni81Fe19薄膜各向异性磁电阻的影响。结果表明，在基片温度为450℃时，Ni81Fe19薄膜 AMR 值随插层厚度增加先增后减，在插层