This paper attempts to further extend the so-called Trefftz direct method(TDM),which has been developed and applied to a wide variety of boundary value problems
报道了在Si基上用简便的真空反应法制备出GaN外延层.光致发光光谱测试结果表明不同的生长温度和退火工艺会对GaN外延层的发光特性产生影响,在1050℃下生长的GaN外延层的发光强度高于其他温度下
地基工程是房建工程最为关键的组成部分,尤其是软土地基对于工程更为重要,如果施工作业人员未采取正确的方法施工,或没有根据建筑工程标准及操作规定作业,则会给整个房建工程
利用形式散射的格林函数方法,研究了Sb在InP(110)表面单层吸附时的电子性质.分别计算了清洁的InP(110)弛豫表面和InP(110)Sb(1ML)体系的表面态的性质,指出了表面态和表面共振态产生的原因.所得结果与实验相符
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