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利用ＡＣＲＴ－ＶＢＭ法生长Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体，并对所得晶体作出宏观和微观质量评价，为改善晶体的电学性质，将生长态的晶体在低温下长时间退火。实现了晶片的反型，Ｈａｌｌ电测量的结果表明位错的数量、分布及富Ｔｅ相、晶界、杂质等的存在都对晶体的电学性质有显著的影响。
Hg1—xMnxTe晶体的生长及电学性能
【摘 要】
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利用ＡＣＲＴ－ＶＢＭ法生长Ｈｇ１－ｘＭｎｘＴｅ晶体，并对所得晶体作出宏观和微观质量评价，为改善晶体的电学性质，将生长态的晶体在低温下长时间退火。实现了晶片的反型，Ｈａｌｌ电测量的结果表明位错的数量、分布及富Ｔｅ相、晶
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
【出 处】
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材料研究学报
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金!59982006,,国家杰出青年基金!59825109
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