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期刊论文
含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cheqiu
【摘 要】
:
我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始
【作 者】
:
祁明维
谭淞生
朱斌
蔡培新
顾为芳
许学敏
施天生
阙端麟
【机 构】
:
中国科学院上海冶金研究所,浙江大学半导体材料研究所,上海无线电十七厂
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1991年4期
【关键词】
:
CZ-Si单晶
N-N对
退火
【基金项目】
:
高纯硅及硅烷国家重点实验室
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我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论.
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