【摘 要】
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<正> 联栅晶体管(Gate Associated Transistor)是由日本Hisao,Kondo等人在1979年提出的,它是一种双极型晶体管的改进结构,它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度
【机 构】
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浙江大学信电系,浙江大学信电系,中国汽车进出口公司浙江公司
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<正> 联栅晶体管(Gate Associated Transistor)是由日本Hisao,Kondo等人在1979年提出的,它是一种双极型晶体管的改进结构,它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高,这个伸出基区部分相当于JFET的栅.在满足沟道夹断早于基区穿通的情况下,栅的存在使得联栅管在承担相同电压时,其基区宽度比BJT小得多.联栅管的出现,解决了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的集电区电阻率情况下得到较高的BV_(c()o).但联栅管在结构上也存在两个缺点
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