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在讨论ＲＨＥＥＤ原理的基础上，介绍了组建的ＲＨＥＥＤ和其附属的真空系统，并用此装置得到了Ｓｉ薄膜的ＲＨＥＥＤ衍射花样。本文还对实验条件和实验结果进行了简单的分析和介绍。
用RHEED方法分析半导体薄膜特性
【摘 要】
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在讨论ＲＨＥＥＤ原理的基础上，介绍了组建的ＲＨＥＥＤ和其附属的真空系统，并用此装置得到了Ｓｉ薄膜的ＲＨＥＥＤ衍射花样。本文还对实验条件和实验结果进行了简单的分析和介绍。
【机 构】
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昆明物理研究所,日本山梨大学工学部电子情报科
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1997年2期
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